相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設計，達到減少模組、系統周邊的零組件及冷卻系統的體積。除了輕化車輛設計之外，因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失，兩者對于電動車續航力的提升有相當的幫助。因此，SiC及GaN功率組件的技術與市場發展，與電動車的發展密不可分。

然而，SiC材料仍在驗證與導入階段，在現階段車用領域僅應用于賽車上，因此，全球現階段的車用功率組件，采用SiC的解決方案的面積不到千分之一。另一方面，目前市場上的GaN功率組件則以GaN-on-SiC及GaN-on-Si兩種晶圓進行制造，其中GaN-on-SiC在散熱性能上具有優勢，相當適合應用在高溫、高頻的操作環境，因此以5G基站的應用能見度較高，預期SiC基板未來五年在通過車廠驗證與2020年5G商用的帶動下，將進入高速成長期。

盡管GaN基板在面積大型化的過程中，成本居高不下，造成GaN基板的產值目前仍小于SiC基板。但GaN能在高頻操作的優勢，仍是各大科技廠矚目的焦點。除了高規格產品使用GaN-on-SiC的技術外，GaN-on-Si透過其成本優勢，成為目前GaN功率組件的市場主流，在車用、智能手機所需的電源管理芯片及充電系統的應用具有成長性。